Компания Электропласт, ООО представлена в следующих разделах

Uобр.: 400 В Iпр.,макс.: 120 А Uпр: 1.37 В tвосс: 35 нс Конфигурация диода: 2 РАЗД

Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(...

Диоды по прочности и устойчивости к воздействию механических нагрузок допускают воздействие синусоидальных вибрационных нагрузок на частоте 50 Гц с ус...

Это полупроводниковые приборы, изготавливаемые на основе монокристалла.

Корпус SOT-223 Класс Тиристоры Характеристики Uобр: 200 В Iпр: 0.8 А Uпр: 1.7 В Iуэ вкл: 5 мА Iуэ откл: 0.2 мА tмин: -40 °С tмакс: 110 °С