Имя 2SA1012 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-220AB (TO-220) Класс Транзисторы биполярные Характеристики Мат: Si Тип: pnp Pc: 25 Вт Uкб: 60...
Мощные металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы MOSFET отличаются от биполярных транзисторов наносекундной скоростью переключения, высоки...
Имя GT30J322 Производитель Toshiba Corporation Корпус TOP-3 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 3 В VGE: 15 В IC:...
Корпус TO-220AC Класс Тиристоры Характеристики Uобр: 1200 В Iпр: 10 А Uпр: 1.4 В Iуэ вкл: 60 мА Iуэ откл: 2 мА tвкл: 0.9 мкс tоткл: 110 мкс tмин: -40...
Полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока. В электронике часто рассматрива...