КСДИ-структуры, КНИ-структуры

"- КСДИ диаметром от 76 мм до 200 мм с прогибом не более 50 мкм и диэлектрической изоляцией компонентов с напряжением пробоя > 4000 В. - Структуры типа КНД (SOI) диаметром 100-150 мм с толщиной изолятора от 1 до 20 мкм и толщиной рабочего слоя от 3 до 200 мкм. Диаметр до 200 мм (серийно выпускаются - 76 мм, 100 мм, в опытном производстве -125 мм) Прогиб (типовой) -10 мкм для 100 мм -15 мкм для 125 мм Толщина -5...100 мкм Рельефсистемы: poly-Si, SiO2, mono-Si - менее 0.5 мкм Толщина SiO2 -до 0.5 мкм Напряжение пробоя - до 2000 В Процент выхода годных структур - 98 % Разброс по толщине ""карманов"" - ± 3 мкм"