Транзистор

Технические характеристики MBR3060CT DIODE, SCHOTTKY, 30A, 60V Diode Type Schottky Voltage, Vrrm 60V Current, If AV 30A Current, Ifsm 200A Voltage, Vf Max 0.77V Temperature, Tj Max 150° C Termination Type Through Hole Temperature, Operating Range -65° C to +150° C Case Style TO-220AB Pins, No. of 3 Current, If Vf 15A Current, Irrm 0.5A Temperature, Tj Min -65°

Вас также могут заинтересовать

Транзистор MOSFET 1NK60Z

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |

Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр

Транзистор MOSFET 12n60C

КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |

Транзистор MOSFET 50N06

КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-64-2Nна заказTO-220 Характеристики: 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Ток: 50 A | Напряжение: 60 |Описание: Производитель: Fairchild SemiconductorКорпус TO-220-3Конфигу

Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/

Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD

Внимание!
Информация по Транзистор предоставлена компанией-поставщиком Диамант ЭК, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».

Контакты компании

Диамант ЭК, ООО

Страна

Россия

Регион

Чувашия

Город

Чебоксары

Адрес

Чебоксары, просп. Ивана Яковлева, д. 5, оф. 214

Телефон

+7 (8352) 222874

Сделать запрос

Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос

					 Даю согласие на обработку наших   данных в соответствии с "Политикой конфиденциальности"				Подтвердите согласие