Транзистор

Транзистор
Технические характеристики MBR3060CT DIODE, SCHOTTKY, 30A, 60V Diode Type Schottky Voltage, Vrrm 60V Current, If AV 30A Current, Ifsm 200A Voltage, Vf Max 0.77V Temperature, Tj Max 150° C Termination Type Through Hole Temperature, Operating Range -65° C to +150° C Case Style TO-220AB Pins, No. of 3 Current, If Vf 15A Current, Irrm 0.5A Temperature, Tj Min -65°
Вас также могут заинтересовать

Транзистор MOSFET 1NK60Z

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |

1.Мощные (10-600 Вт) СВЧ транзисторы частотой 100-1200 Мгц

СВЧ транзисторы серий MRF, KP, 2N для радио- и телевещательной аппаратуры, наземных радаров аэропортов, усилителей мощности и т.д. в корпусированном виде и в виде кремниевых пластин, чипов.

Разработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов

Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного зака

Транзистор IRFR5305PBF

Шестигранные транзисторы пятого поколения используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого входного сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой

Транзистор NE681M03

Транзистор NE681M03 от NEC идеально подходит для применения в усилителях с низким уровнем шума, высоким коэффициентом усиления и низкой стоимостью. Новый низкопрофильный корпус NEC с плоским выводом \
Внимание!
Информация по Транзистор предоставлена компанией-поставщиком Диамант ЭК, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Чувашия
Город
Чебоксары
Адрес
Чебоксары, просп. Ивана Яковлева, д. 5, оф. 214
Телефон
+7 (8352) 222874
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие