Эпитаксиальные слои CdxHg1-xTe n и p-типа проводимости

Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм. Размеры рабочей поверхности, мм2 ? 30, ? 37 20?20, 20?30, Толщина слоя, мкм 15±5 Состав, мол. доля CdTe, x x = 0,208?0,230 х = 0,207?0,300 Однородность состава по площади, мол.доля CdTe, Dx ± 0,002 Тип электропроводности n, p Концентрация основных носителей заряда при 77 К, см-3 n=(1,0?5,0)?1014 p=(0,5?3,0)?1016 Подвижность основных носителей заряда при 77 К, см2/В?с µn ? 1,0?105 µp ? 300 Время релаксации фотопроводимости (77 К), с ? 3?10-7 (n-тип) ? 3?10-8 (p-тип) Плотность дислокаций, см-2 < 5?104 Малоугловые границы, включения второй фазы нет