Транзисторы

Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр

Транзистор MOSFET 12n60C

КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A  -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |

Транзистор MOSFET 50N06

КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-64-2Nна заказTO-220 Характеристики: 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Ток: 50 A | Напряжение: 60 |Описание: Производитель: Fairchild SemiconductorКорпус TO-220-3Конфигу

Транзистор MOSFET APM4546

КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell Desi

1.Мощные (10-600 Вт) СВЧ транзисторы частотой 100-1200 Мгц

СВЧ транзисторы серий MRF, KP, 2N для радио- и телевещательной аппаратуры, наземных радаров аэропортов, усилителей мощности и т.д. в корпусированном виде и в виде кремниевых пластин, чипов.