Чипы: диодов тиристоров триаков

Потери IGBT в проводящем состоянии несколько выше по сравнению с GTO и IGCT. Потери при выключении, с другой стороны, ниже. По этой причине оптимальная частота переключения IGBT выше, чем у приборов GTO и IGCT тех же номиналов. IGBT могут применяться и без цепей защиты (снабберов), позволяя создавать крайне простые топологии преобразователей. Цена этой простоты заключается в том, что большая часть потерь преобразователя рассеивается в кремнии и преобразуемая мощность ограничивается теплоотводом. Уникальная особенность IGBT состоит в их возможности выдерживать короткие замыкания на выводах (большой ток и высокое напряжение через прибор одновременно). При коротком замыкании IGBT ограничивает ток на уровне заложенном при разработке, и существует возможность безопасно выключить короткое замыкание в течение 10 микросекунд сигналом на затворе, не повреждая прибор. - Передовые планарные IGBT и соответствующие диоды - Высокая устойчивость к динамическим нагрузкам и низкие потери переключения - Низкие потери проводимости, и положительный коэффициент температуры - Пригодны для параллельного соединения для надежной работы схем