Модуль памяти Patriot DDR-III 1Gb PC3-10600
Вас также могут заинтересовать
Модуль памяти Samsung DDR III 2 Gb 1066 MHz
Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 2048 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low"Модуль памяти DIMM 1ГБ DDR SDRAM Kingston "ValueRAM"
Технические характеристики Тип памяти DDR SDRAM Объем 1024 МБ Организация 16 Мбит x 8 бит x 4 банка Частота работы 200 МГц Эффективная частота 400 МГц Пропускная способность 3200 МБ/сек. Латентность CМодуль памяти SO-DIMM DDR II 256Mb Hynix PC-3200
Производитель памяти для ноутбука: Hynix Модель памяти: PC3200 DDR400 Hynix Описание: модуль памяти SO-DIMM для ноутбуков Другие названия памяти: оперативная память для ноутбука, sodimm, so dimm ddr ОМодули памяти DDR SDRAM 1024Mb PC3200
Технические характеристики: Модуль памяти DDR SDRAM 1024Mb SAMSUNG Тип памяти DDR Объем 1024Mb Частота памяти PC3200, 400MHz Напряжение питания не указано производителем Тайминги не указано производитМодуль памяти DDR III 2048 Mb 1333 Mhz PC-10600 SiliconPower
Модуль памяти DDR III 2048 Mb 1333 Mhz PC-10600 SiliconPower (SP002GBLTU133V02) Технические характеристики Тип памяти: DDR III Объем модуля: 2048 Mb Частота шины: 1333 Mhz Пропускная способность шины:
Внимание!
Информация по Модуль памяти Patriot DDR-III 1Gb PC3-10600 предоставлена компанией-поставщиком Авангард, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Модуль памяти Patriot DDR-III 1Gb PC3-10600 предоставлена компанией-поставщиком Авангард, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Брянская область
Город
Брянск
Адрес
Брянск, ул. 22 Съезда КПСС, д. 19
Телефон
+7 (4832) 688155
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие