Дифракционные оптические элементы и синтезированные голограммы

Дифракционные оптические элементы (ДОЭ) -- это оптические подложки с амплитудными и/или фазовыми дифракционными структурами на одной из поверхностей, рассчитанные с помощью компьютера и изготовленные методом прецизионной лазерной или электронно-лучевой литографии. Точность изготовления дифракционных структур на пластинках диаметром до 230 мм составляет 50 нм. Применяемая нами технология позволяет создавать дифракционные структуры непосредственно на покрытых хромом подложках с помощью лазерного пучка. Для создания фазового рельефа на поверхности оптических подложек используется процесс реактивного ионного травления. ЗАО «ДИФРАКЦИЯ» изготавливает по заказу следующие типы дифракционных элементов: 1. Осесимметричные ДОЭ с амплитудным пропусканием или отражением Размеры подложки, D Диаметр D < 230 мм Толщина L=1...24 мм Материал подложки Оптическое стекло, плавленый кварц, ситал и т.д. Световой диаметр, Dсв 90% Материал амплитудной структуры Хром, толщина 40-50 нм Минимальная ширина структуры, dmin 0.6 мкм Минимальный период структуры, T 1.2 мкм Погрешность структуры относительно центра, ? <50 нм Погрешность волнового фронта, ?W * Не хуже ?/20 (PV), ?/100 rms 2. Осесимметричные ДОЭ с бинарным фазовым рельефом Размеры подложки, D Диаметр D =< 230 мм Толщина L=1...24 мм Материал подложки Плавленый кварц Световой диаметр, Dсв 90% Глубина рельефа, h 0.1...3 мкм Минимальная ширина структуры, dmin 1 мкм Минимальный период структуры, T 2 мкм Погрешность структуры относительно центра, ? <50 нм Погрешность волнового фронта, ?W * Не хуже ?/10 (PV), ?/100 rm 3. ДОЭ с произвольной структурой с амплитудным пропусканием или бинарным фазовым рельефом Размеры подложки, D Диаметр D < 230 мм Толщина L=1...24 мм Материал подложки * Оптическое стекло, плавленый кварц, ситал, и т.д. Световой диаметр, Dсв 90% Глубина рельефа, h 0.1...3 мкм Материал амплитудной структуры Хром, толщина 40-50 нм Минимальная ширина структуры, dmin 2.5 мкм Минимальный период структуры, T 5 мкм Погрешность структуры относительно центра, ? <0.25 мкм Погрешность волнового фронта, ?W * Не хуже ?/10 (PV), ?/100 rms