Интегральные магниточувствительные микросистемы матричного типа для измерения параметров распределенного магнитного поля

"Область применения: Создание сканеров магнитного поля для построения систем неразрушающего, высокопроизводительного контроля ферромагнитных изделий (труб, котлов, резервуаров, трубопроводов, теплообменников и т. д., в том числе с защитным диэлектрическим покрытием толщиной до 3 мм), применяемых на объектах тепловой и атомной энергетики, металлургии, трубопроводного транспорта и нефтехимии. Направление оси магниточувствительности параллельно или перпендикулярно поверхности кристалла. Технические характеристики: Пространственное разрешение, мкм 200...300 Относительная магниточувствительность, %/Т 4 - 10 Диапазон рабочих температур, °С -60...+125 Количество магниточувствительных ячеек 32...1000 Характерные размеры кристаллов, мм 8х10; 2х28; 4х30 Количество выводов 16...64 Ток потребления, мА 300...900"