Транзисторы

Транзисторы
STMicroelectronics- является одним из лидеров среди поставщиков транзисторов, с одним из самых обширных портфолио в промышленности. Транзистор - это твердотельное полупроводниковое устройство, которое может быть использованно для усиления, переключения, стабилизации напряжения, модуляции сигналов и некоторых других функций. Оно действует как изменяемый вентиль, упраляющимся входным напряжением, управлющее током, текущего от него и подключённого к источнику напряжения. Транзисторы делятся на две главные категории биполярные BJT и полевые FET. Семейства транзисторов: Emitter Switched Bipolar Transistors- Биполярные Транзисторы отключаемые эмиттером ESBT High Power - Выскомощные ESBT IGBTs 1200В 600В 300-400В Power Bipolars - Силовые биполярные транзисторы Darlington Транзисторы - Дарлингтона High Current Silicon Power Transistors - Силовые транзисторы с высоким уровнем тока High Voltage Fast - Switching - Высоковольтные скоростные транзисторы Low - Medium Voltage - транзисторы для среднего и малого напряжения Medium Power Транзисторы для среднего напряжения Very High Voltage Power MOSFETs- Силовые полевые транзисторы MOSFET N-Канальные (12В до 40В) N-Канальные (>40В до 150В) N-Канальные(>150V до 400В) N- Канальные (>400В до 650В) N-Канальные(>650В) P-Канальные (-20В до-250В) Радиочстотные Bipolar HF - Биполярные ВЧ Транзисторы Bipolar VHF & UHF Mobile - Биполярные СВЧ Транзисторы DMOS ISM & Broadcast Applications - Транзисторы для радио эфирных применений LDMOS 28/32 V 900 MHz Приложения - SMD Пластик LDMOS 7/12 V Радио приложения - SMD Пластик LDMOS UHF TV & 900 MHz Применения - Керамические Small Signal - Малосигнальные Транзисторы High Voltage - Высоковольтные Metal Can Package - Транзисторы с металлическим корпусом
Вас также могут заинтересовать

Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр

Транзистор MOSFET 12n60C

КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A  -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |

1.Мощные (10-600 Вт) СВЧ транзисторы частотой 100-1200 Мгц

СВЧ транзисторы серий MRF, KP, 2N для радио- и телевещательной аппаратуры, наземных радаров аэропортов, усилителей мощности и т.д. в корпусированном виде и в виде кремниевых пластин, чипов.

Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/

Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD

Транзисторы типа КТ 201 - 3 длинных позолоченных вывода

Транзисторы марок КТ(КП, 2Т) 201, 203, 213, 217, 303, 3102, 3107 - 3 длинных позолоченных вывода 2,5 см, d = ~ 0,5 cm, желтый ободок
Внимание!
Информация по Транзисторы предоставлена компанией-поставщиком ПКФ Атон, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Свердловская область
Город
Екатеринбург
Адрес
Екатеринбург, ул. Луначарского, д. 31, оф. 406
Телефон
+7 (343) 3550301
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие