Транзисторы
Вас также могут заинтересовать
Транзистор MOSFET 1NK60Z
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3НапрТранзистор MOSFET 50N06
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-64-2Nна заказTO-220 Характеристики: 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Ток: 50 A | Напряжение: 60 |Описание: Производитель: Fairchild SemiconductorКорпус TO-220-3КонфигуРазработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного закаТранзисторы типа КТ 201 - 3 длинных позолоченных вывода
Транзисторы марок КТ(КП, 2Т) 201, 203, 213, 217, 303, 3102, 3107 - 3 длинных позолоченных вывода 2,5 см, d = ~ 0,5 cm, желтый ободок
Внимание!
Информация по Транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Научно-инженерный центр Радиоэлектронная техника – МГУ, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Научно-инженерный центр Радиоэлектронная техника – МГУ, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Мордовия
Город
Саранск
Адрес
Саранск, ул.Б. Хмельницкого, д. 39, оф. 526
Телефон
+7 (8342) 243705
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие