Транзисторы
Вас также могут заинтересовать
Транзистор MOSFET 1NK60Z
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3НапрТранзистор MOSFET 12n60C
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |Разработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного закаТранзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/
Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD
Внимание!
Информация по Транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Научно-инженерный центр Радиоэлектронная техника – МГУ, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Научно-инженерный центр Радиоэлектронная техника – МГУ, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Мордовия
Город
Саранск
Адрес
Саранск, ул.Б. Хмельницкого, д. 39, оф. 526
Телефон
+7 (8342) 243705
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие