Установка высокочастотная Кристалл 502

Установка высокочастотная «Кристалл 502» Установка высокочастотная «Кристалл 502» для группового выращивания кремниевых прутков-подложек диаметром (4—6) мм и длиной до 2000 мм с использованием электродинамического воздействия поля индуктора на расплав. Установка предназначена для оснащения цехов, производящих поликристаллический кремний. Технические характеристики: Кол-во одновременно выращиваемых прутков, шт ……….. 5 Длина выращиваемых прутков, мм, не менее ………………… 2000 Диаметр выращиваемых прутков, мм, в пределах ……….… 4—6 Мощность колебательная, кВт, не менее …………………….… 25±2,5 Мощность потребляемая, кВт,не более ……………………….… 40 Частота рабочая,М Гц …………………………………………………….. 1,76±0,044 Напряжение питающей сети, В ……………….……………………… 380 Габаритные размеры …………………………………………………….… 2100?1400?4050 Расход охлаждающей воды, м?/ч, не менее …………………… 5 Масса, кг, не более ………………………………………………………….. 3000