Транзисторы 2П313В
Вас также могут заинтересовать
Транзистор MOSFET 1NK60Z
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3НапрТранзистор MOSFET APM4546
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell DesiТранзисторы
Компания основана в 1999г. Более 10лет мы являемся комплексным поставщиком электронных компонентов, измерительного оборудования и инструментов промышленного и бытового назначения. Приоритетным направлТранзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/
Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD
Внимание!
Информация по Транзисторы 2П313В предоставлена компанией-поставщиком Контест, ЗАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзисторы 2П313В предоставлена компанией-поставщиком Контест, ЗАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Московская область
Город
Москва
Адрес
Москва, ул. Марксистская, д. 34, корп. 7, оф. 415
Телефон
+7 (495) 9258873
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие