ИК-диапазон 680-950нм

Излучающие структуры ИК диапазона 680-950нм

Компания «Мега Эпитех» производит широкий спектр излучающих структур ИК-диапазона, отвечающих конкретным требованиям заказчиков и отличающихся определенным набором свойств, таких как:

тип конструкции структуры (HS, DH, DDH);

количество и тип эпитаксиальных слоев;

величина мощности излучения;

длина волны излучения;

параметры быстродействия.

Структуры представляют собой круглые пластины диаметром 37-40мм или 50мм и толщиной 150-450 мкм.

Основные типы производимых структур представлены ниже в таблице.

Тип
структуры

Материал структуры/
подложки

Длина волны
пика электро
люминесценции
?p,±10(±5)*[nm]

Мощность излучения
при 20мA
P0 [мВт]

Прямое падение напряжения
при 20 мA
Uf [В]

Обратное падение напряжения
при 10 мкA
Ur [В] мин.

Время отклика
[нс]

min. typ. typ.

max.

Tr

Tf

HS950P
p-side up

GaAs/
n-GaAs

950

1.0 1.2 1.1 1.2 8 500

500

DH860N type 1
n-side up

AlGaAs/
p-GaAs

860

0.8 1.2 1.30 1.40 8 30

25

DH860N type 2
n-side up AlGaAs/
p-GaAs

860

1.4 1.8 1.30 1.40 8 60

50

DDH910P
р-side up AlGaAs/
n-AlGaAs

910

3.0 3.5

1.25

1.35

8

120

100

DDH870P
р-side up AlGaAs/
n-AlGaAs

870

3.5 4.0 1.25 1.35 8 30

25

DDH870PS
р-side up AlGaAs/
n-AlGaAs

870

2.8 3.4 1.25 1.35 8 10 10 DDH850P
р-side up AlGaAs/
n-AlGaAs

850

3.5 4.0 1.30 1.40 8 30 25 DDH900N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

900

3.0 3.5 1.35 1.50 8 80 60 DDH870N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

870

3.5 4.3 1.35 1.50 8 40 30 DDH850N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

850

3.5 4.0 1.40 1.55 8 40 30 DDH810N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

810

3.8 4.5 1.45 1.65 8 40 30 DDH770N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

770

3.5 4.0 1.50 1.70 8 40 30 DDH740N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

740

3.5 4.0 1.60 1.70 8 40 30 DDH725N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

725

3.2 3.8 1.60 1.70 8 40 30 DDH700N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

700

3.5 4.0 1.70 1.75 8 50 35 DDH680N
n-side up AlGaAs/
p-AlGaAs

680

3.5 4.0 1.70 1.75 8 50 35

*по требованию заказчика