Каролина ПХТ15

Установка предназначена специально для ионно-химического травления материалов, применяемых в производстве микроэлектроники. Травление изделий происходит путем бомбардировки поверхности изделий ионами и радикалами технологического газа, образующимися в индукционном ВЧ-разряде при помощи источника ионов высокой плотности (патент РФ N 2 171 555).

Для того, чтобы увеличить параметры плазмы, применяется навесная магнитная система в виде двух электромагнитных катушек большого диаметра.

Применяется импортный химически стойкий турбомолекулярный насос типа Turbo-V 551 Navigator.

Баратрон для измерения вакуума в рабочей точке.

Установка может укомплектовываться лазерным измерителем толщины для измерения глубины травления. Прототип установки применяется (ЭРА-3М, ЭРА-4 не шлюзовая) для производства полупроводниковых лазеров и светодиодов на арсениде и нитриде галия, а также для травления SiO2, кремния, полиимида, снятия фоторезиста и т.д в технологии микроэлектроники.

Установка может применяться и для плазмостимулированного осаждения диэлектриков из газовой фазы (SiO2, Si4N4).