Система мониторинга процесса и анализа толщины пленок ST8000-MAP

Система мониторинга процесса и анализа толщины пленок ST8000-MAP

Система измерения толщины пленок была разработана для научных исследований и разработок в лабораториях для измерения толщины тонких пленок, а также в системах контроля качества и мониторинга процесса в линиях по производству; полупроводников, FPD, в нанотехнологий, электронных материалов и специальных пленок. Так, например, в полупроводниковой промышленности, каждая тонкая пленка осажденная на подложке должна быть получена на основе точного дизайна и чертежа. Система анализа толщин тонких пленок используется для контроля процесса изготовления и определения уровня качества продукта путем измерения толщины тонких пленок. Существуют различные методы для измерения толщины пленки: стилусом на основе механической технологии, микроскопические технологии и оптические технологии, как правило, наиболее широко используемые. Измерительная система толщина пленки SpectraThick компании K-MAC, является адаптированной усовершенствованной технологией с использованием оптического метода. Таким образом, явление интерференции между отраженными световыми сигналами на поверхности пленки и поверхностью подложки или разность фаз света определяет свойства пленки. Таким образом, мы можем измерить не только толщину пленки, но и её оптические параметры постоянные. Если пленка прозрачная и поддерживает оптическую интерференцию, то любой образец такой пленки может быть измерен с Spectra Thick профилометром интерферометром компании K-MAC. Толщина каждого слоя многослойной пленки может быть измерена с помощью математического расчета по формулам. Благодаря интуитивно понятному интерфейсу, операция с использованием программного обеспечения позволит очень просто вычислить толщину пленки. Анализ будет неразрущающим, т.е. без ущерба для образца, обладая широким диапазоном толщин от агстрем до десятков микрон.

Особенности Размер платформы 370 x 470 мм Диапазон измерений 1000 Ангстрем ~ 2.5 мкм (суб-микронные размеры) Размер пятна 40/20 мкм, 4 мкм(опционально) Скорость измерений 14 сек/область Револьверная головка микроскопа Пятиместная Область применения Полимеры : PVA, PET, PP, PR
Диэлектрики : SiO2, TiO2, ITO, ZrO2, Si3N4 ...
Полупроводники : Poly-Si, GaAs, GaN, InP, ZnS...
Дисплеи : PR, ITO, SiO2, TiO2, ZrO2, SixNx
Опционально змерение контактных углов
RS измерения с помощью 4-х точечный датчика зонда
Измерение коэффициента пропускания Функциональность Полностью автоматизированное измерения толщины
Автоматическая фокусировка
CCD камера
распознавание образов, паттернов
CIM коммуникация