Транзистор MOSFET 2SK1118
Характеристики: N 600V -30A -
Ток: 30 A | Напряжение: 600 |Описание: Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6Максимальная температура канала (Tj): 150Время нарастания (tr): 25Выходная емкость (Cd), pf: 250Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.95Тип корпуса: SC-67
Вас также могут заинтересовать
Транзистор MOSFET BSS138
КодПроизводительТипНаличиеКорпус2-01-210SOT23 Характеристики: N 50V 200mA Ток: 0.2 A | Напряжение: 50 |Транзистор MOSFET AP9962GM
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-32-32SO8 Характеристики: Dual N-channel 40V 20mOM 7A Ток: 7 A | Напряжение: 40 |Транзистор MOSFET 12n60C
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |Транзистор MOSFET 50N06
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-64-2Nна заказTO-220 Характеристики: 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Ток: 50 A | Напряжение: 60 |Описание: Производитель: Fairchild SemiconductorКорпус TO-220-3КонфигуТранзистор MOSFET APM4546
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell Desi
Внимание!
Информация по Транзистор MOSFET 2SK1118 предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзистор MOSFET 2SK1118 предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Город
Тверь
Адрес
ул. Вагжанова д.6 оф.15
Телефон
+7 (4822) 346332
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие