Транзистор MOSFET AP9930M
Характеристики: 2N AND 2P-CHANNEL
Описание: N-CH BVDSS 30VP-CH BVDSS -30V▼- Low On-resistance RDS(ON) 33m&Omega-▼- Full Bridge Application on ID 6.3A -LCD Monitor Inverter P-CH BVDSS -30VRDS(ON) 55m&Omega-Description ID -5.1A
Вас также могут заинтересовать
Транзистор MOSFET AO4409
КодПроизводительТипНаличиеКорпус6-43-336SO8 Характеристики: -30V 15A P-Channel Описание: VDS - - - - - - - - - - - -30V -ID (at VGS=-10V) -15Транзистор MOSFET 60NF06
КодПроизводительТипНаличиеКорпус736-13D2PAK Характеристики: -N 60A 60V Ток: 60 A | Напряжение: 60 |Транзистор MOSFET 1NK60Z
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |Транзистор MOSFET 12n60C
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-30-210TO220 Характеристики: N-MOSFET 12A -600V Ток: 12 A | Напряжение: 600 |Транзистор MOSFET APM4546
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell Desi
Внимание!
Информация по Транзистор MOSFET AP9930M предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзистор MOSFET AP9930M предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Город
Тверь
Адрес
ул. Вагжанова д.6 оф.15
Телефон
+7 (4822) 346332
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие