Транзистор IRFR5305PBF

Шестигранные транзисторы пятого поколения используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого входного сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства обеспечивает высокую мощность МОП-транзисторов. Они хорошо известны тем, что предоставляют разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных областях применения. D-Pak предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов парафазной, инфракрасной или волновой пайки. При типичном поверхностном монтаже возможны уровни рассеиваемой мощности до 1,5 Вт.
Транзистор MOSFET 1NK60Z
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |Транзистор MOSFET APM4546
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell DesiТранзисторы
Компания основана в 1999г. Более 10лет мы являемся комплексным поставщиком электронных компонентов, измерительного оборудования и инструментов промышленного и бытового назначения. Приоритетным направлТранзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/
Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АDТранзистор AO4407A
В транзисторах AO4407A используется передовая технология TRENCH для обеспечения превосходного RDS (ON) и сверхнизкого заряда затвора с номинальным напряжением затвора 25 В. Это устройство подходит дляИнформация по Транзистор IRFR5305PBF предоставлена компанией-поставщиком ООО "ДОМИНО". Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».