Транзистор IRFR5305PBF

Шестигранные транзисторы пятого поколения используют передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого входного сопротивления на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства обеспечивает высокую мощность МОП-транзисторов. Они хорошо известны тем, что предоставляют разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных областях применения. D-Pak предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов парафазной, инфракрасной или волновой пайки. При типичном поверхностном монтаже возможны уровни рассеиваемой мощности до 1,5 Вт.
Транзистор MOSFET APM4546
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell DesiРазработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного закаТранзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/
Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АDТранзисторы типа КТ 201 - 3 длинных позолоченных вывода
Транзисторы марок КТ(КП, 2Т) 201, 203, 213, 217, 303, 3102, 3107 - 3 длинных позолоченных вывода 2,5 см, d = ~ 0,5 cm, желтый ободокТранзистор AO4407A
В транзисторах AO4407A используется передовая технология TRENCH для обеспечения превосходного RDS (ON) и сверхнизкого заряда затвора с номинальным напряжением затвора 25 В. Это устройство подходит дляИнформация по Транзистор IRFR5305PBF предоставлена компанией-поставщиком ООО "ДОМИНО". Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».