Транзисторы

Транзистор MOSFET 1NK60Z

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-33-128TO92 Характеристики: N-MOSFET 600V 0.8A <-15 Om Ток: 0.8 A | Напряжение: 600 |

Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр

Транзистор MOSFET APM4546

КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-12-2N+P26SO8 Характеристики: N+P-Channel Ток: 7 A | Напряжение: 30 |Описание: &bull- N-Channel30V/7A,&bull- P-Channel --30V/-5A,&bull- Super High Dense Cell Desi

1.Мощные (10-600 Вт) СВЧ транзисторы частотой 100-1200 Мгц

СВЧ транзисторы серий MRF, KP, 2N для радио- и телевещательной аппаратуры, наземных радаров аэропортов, усилителей мощности и т.д. в корпусированном виде и в виде кремниевых пластин, чипов.

Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/

Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD