Кремний монокристалический

"Применяются для производства полупроводниковых приборов и микросхем в микроэлектронике, силовой электротехнике, солнечной энергетике. СПЕЦИФИКАЦИЯ: Легирующий элемент - фосфор, бор Тип электропроводности - "N" "p" Плотность дислокаций не более 10 см -2 Удельное электросопротивление (УЭС): "N" 0,1-50 Ом см "Р" 0,008-50 Ом см Относительное отклонение средних значений УЭС торцов от номинальных значений 15-35 % Концентрация атомов оптически активного кислорода не более 9 1017 см -3 Концентрация атомов оптически активного углерода не более 5 1016см -3 ОРИЕНТАЦИЯ: Ориентация кристалла (111),(100) Отклонение плоскости торцевого среза от плоскости ориентации не более 3 град. ВНЕШНИЙ ВИД: Диаметр (псевдоквадрат, базовый срез) от 40 до 150 мм УПАКОВКА: Герметичный пакет из полиэтилена в мягкой прокладке в футляре из картона. Картонные футляры укладываются в деревянные (фанерные) ящики."