Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. Оборудованы видеосистемой контроля диаметра растущего кристалла.
Метод был разработан польским химиком Яном Чохральским в 1916 году. Выращивание монокристаллов кремния производится в кварцевых тиглях большого диаметра (от 20 до 42 дюймов) путем вытягивания вверх монокристалла из расплава. В начале процесса в контакт с расплавом вводится ориентированная затравка, от которой начинается постепенный рост кристалла.
ООО «НПО «ГКМП» предлагает Заказчику различные варианты компоновки установок: камера кристалла - с дверью или «труба», главный затвор - щелевой или «хлопушка» в любых сочетаниях.
Для выращивания полупроводниковых монокристаллов кремния с особыми свойствами, возможно применение магнита, подавляющего конвекцию расплава.
Для повышения скорости роста монокристалла мы предлагаем установку водоохлаждаемого колодца, с электромеханическим приводом подъема-опускания. Применение водоохлаждаемого колодца позволяет повысить скорость роста кристалла в 1,5-2 раза и улучшить некоторые важные характеристики.
Диаметр растущего монокристалла определяется по телекамере.При необходимости контроля температуры нагревателя и/или расплава устанавливаются пирометры.
Главный насос – вакуумный агрегат, включающий в себя насос Рутса и пластинчато-роторный насос, выполнен в одном корпусе, включая блок управления. Для поддержания требуемого давления в рабочей камере при постоянном потоке газа, вакуумный агрегат регулирует скорость откачки изменяя частоту вращения.Перед вакуумным агрегатом устанавливается специальный пылевой фильтр с функцией самоочистки, что позволяет проводить долгие процессы (до 400 часов) без существенной потери скорости откачки.
Все этапы выращивания кристалла: от проверки натекания до охлаждения кристалла полностью автоматизированы.
На сегодняшний день российская полупроводниковая промышленность в основном использует монокристаллы кремния диаметром 3, 4, 6 и 8 дюймов. В перспективе планируется переход на кристаллы 12 дюймов. ООО «НПО» ГКМП» может изготовить установки для выращивания монокристаллов кремния под любой диаметр кристалла.
Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.
Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов способом Чохральского (Ника-3)
"Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способом Чохральского, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниНабор для выращивания кристаллов Каррас Волшебный кристалл 006 Crystal
Полное описаниеВ естественной среде кристаллу понадобилось бы тысяча лет как минимум для того, чтобы вырасти. Каррас Волшебный кристалл 006 Crystal позволит вам вырасить его самостоятельно в домашнихУстановки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма кУстановки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являетУстановка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращивИнформация по Установки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ предоставлена компанией-поставщиком ООО "НПО "ГКМП". Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».