IGBT - биполярные транзисторы
Вас также могут заинтересовать
Биполярный транзистор 1НТ251
Структура: NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: - Макс. напр. к-э приТранзистор IGBT FGH40N60SMD
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики: -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |Транзистор IGBT Разъём Rj P63F3A
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |Транзистор IGBT GT30J122
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |Разработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов
Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного зака
Внимание!
Информация по IGBT - биполярные транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по IGBT - биполярные транзисторы предоставлена компанией-поставщиком Электропласт, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Ленинградская область
Город
Санкт-Петербург
Адрес
Санкт-Петербург, ул. Маршала Говорова, д. 47
Телефон
+7 (812) 3095832
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие