IGBT - биполярные транзисторы

Биполярный транзистор 1НТ251

Структура: NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: - Макс. напр. к-э при

Биполярные транзисторы

"Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и предназначеный для усиления сигнала. Биполярные транзисторы являются

Транзистор IGBT FGH40N60SMD

КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики:  -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |

Разработка мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов

Проектирование, аттестация и обеспечение регулярных внутрироссийских и экспортных поставок мощных СВЧ биполярных, MOSFET, LDMOS транзисторов по техническим требованиям российского или зарубежного зака

Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/

Транзистор биполярный MJE13007/ONS/TO-220/ тип корпуса - TO-220 производитель - ON Semiconductor проводимость - NPN Напряжение Uкэ - 400В Частота рабочая - 14 МГц Максимальный ток Iк - 5АD