Транзистор IGBT GT30J122
Характеристики: Silicon N-Channel IGBT
Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Вас также могут заинтересовать
Транзистор IGBT FGH40N60SMD
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики: -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |Транзистор IGBT IRG4BC30F
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220 Характеристики: 600 В, -31 А Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3НапряжениеТранзистор IGBT h30r1602
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |Транзистор IGBT Разъём Rj P63F3A
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр
Внимание!
Информация по Транзистор IGBT GT30J122 предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзистор IGBT GT30J122 предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Город
Тверь
Адрес
ул. Вагжанова д.6 оф.15
Телефон
+7 (4822) 346332
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие