транзистор IGBT

транзистор IGBT
IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного биполярного транзистора (с низким уровнем потерь) и полевого транзистора, управление которым возможно под воздействием электрического поля. Подобный механизм работы был разработан в начале 80-х годов. Однако первые чипы IGBT не получили широкого распространения из-за высокого входного сопротивления и низкого остаточного напряжения. Сегодня же компании ABB Semiconductors удалось разрешить технические трудности и наладить производство IGCT и IGBT ключей и драйверов для IGBT модулей. Прохождения тока через прибор управляется источником напряжения (15 В), который отличается большим внутренним сопротивлением, и обеспечивает возможность изменения больших токов сигналом управления малой мощности. В нашей компании вы можете приобрести ключи IGBT и IGBT, драйверы для IGBT модулей, а также другое высокотехнологичное оборудование производства компании ABB Semiconductors. HiPak: Модули HiPakTM являются IGBT высокой мощности в стандартных корпусах с размерами основания 190x140 мм (HiPak2) и 140x130 мм (HiPak1). Модули выпускаются с монтажным основанием из композиционного материала AlSiC с целью обеспечения отличной термоциклической способности и субстратами из нитрида алюминия для обеспечения низкого теплового сопротивления. Модули производятся в виде одиночных IGBT, двух IGBT в одном корпусе, двух диодов и IGBT с диодом в одном корпусе. Модули с напряжением изоляции 10,2 кВ имеют маркировку HV. Модули HiPakTM разработаны с использованием новой технологии чипов SPT (Soft Punch Through). Эта технология АBB сочетает низкие потери с мягкими характеристиками переключения и широкой областью безопасной работы.
Вас также могут заинтересовать

Транзистор IGBT FGH40N60SMD

КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-49-25TO247 Характеристики:  -600V, 40A Field Stop IGBT Ток: 40 A | Напряжение: 600 |

Транзистор IGBT IRG4BC30F

КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220 Характеристики: 600 В, -31 А Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3Напряжение

Транзистор IGBT IRGP4063D

КодПроизводительТипНаличиеКорпус6-49-33TO247 Характеристики: IGBT 600В 48А  - Ток: 48 A | Напряжение: 600 |Описание: Технические параметры Структура n-каналМаксимальное напряжение кэ ,В 600Максим

Транзистор IGBT Разъём Rj P63F3A

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |

Транзистор IGBT GT30J122

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Внимание!
Информация по транзистор IGBT предоставлена компанией-поставщиком Цпмк, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Московская область
Город
Москва
Адрес
Москва, ул. Михалковская, д. 63-Б
Телефон
+7 (495) 6019750
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие