Транзистор IGBT GS30B60K
Характеристики: IGBT- Uкэ=600В- Iк=50А
Ток: 50 A | Напряжение: 600 |
Вас также могут заинтересовать
транзистор IGBT
IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного биполТранзистор IGBT IRG4BC30F
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220 Характеристики: 600 В, -31 А Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3НапряжениеТранзистор IGBT IRGP4063D
КодПроизводительТипНаличиеКорпус6-49-33TO247 Характеристики: IGBT 600В 48А - Ток: 48 A | Напряжение: 600 |Описание: Технические параметры Структура n-каналМаксимальное напряжение кэ ,В 600МаксимТранзистор IGBT Разъём Rj P63F3A
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |Транзистор IGBT GT30J122
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |
Внимание!
Информация по Транзистор IGBT GS30B60K предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзистор IGBT GS30B60K предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Город
Тверь
Адрес
ул. Вагжанова д.6 оф.15
Телефон
+7 (4822) 346332
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие