Транзистор IGBT IRG4BC30F

Транзистор IGBT IRG4BC30F
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220
Характеристики: 600 В, -31 А

Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3Напряжение К-Э максимальное 600 ВТок коллектора максимальный при 25°-C 31 АТок коллектора максимальный при 100°-C 17 АНапряжение насыщения К-Э 1.59 ВВремя нарастания 26 нсВремя спада 160 нсВремя восстановления диода 60 нсПрямое падение напряжение диода 1.7 ВПримечание IGBT Discretes, Hard switching, FAST 1-8 kHz


Вас также могут заинтересовать

транзистор IGBT

IGBT MODULES Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT модуль) — высокотехнологичная и наиболее совершенная модель высоковольтных ключей. IGBT модули сочетают возможности стандартного бипол

Транзисторы IGBT GT50J101

Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(on): 3350 нс TJmax: 150 °С

Транзистор IGBT h30r1602

КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |

Транзистор IGBT Разъём Rj P63F3A

КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |

Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF

КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр
Внимание!
Информация по Транзистор IGBT IRG4BC30F предоставлена компанией-поставщиком Забродин В.В., ИП. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Город
Тверь
Адрес
ул. Вагжанова д.6 оф.15
Телефон
+7 (4822) 346332
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие