Установка для определения резонансного потенциала методом Франка и Герца ФПК 02м

Позволяет воспроизводить классический опыт Франка и Герца по определению резонансного потенциала и измерять энергию резонансного уровня. Для исследования зависимости анодного тока лампового газонаполненного триода от напряжения сетка-катод (вольт-амперную характеристику) с максимумами и минимумами, характерными для опыта Франка и Герца, используется осциллограф любого типа. Обеспечивается возможность работы ПЭВМ типа IBM РС через интерфейс CENTRONIX. Технические характеристики Электропитание от сети переменного тока: напряжением, В 220 частотой, Гц 50 Потребляемая мощность, В· А 60 Габаритные размеры, мм: устройства змерительного 240х75х310 объекта исследования 350х190х190 Масса (общая), кг 12

Вас также могут заинтересовать

Устройство для определения границы пластичности методом раскатывания ГТ 1.8.2

"Назначение Предназначено для автоматического раскатывания образцов грунта при испытании образцов связного грунта методом раскатывания в жгут по ГОСТ 5180-84 Описание Устройство обеспечивает: - автома

Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом Киропулоса KY (Мусатова, ГОИ)

Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира из расплава. Метод Киропулоса характеризуется малыми температурными градиентами на фронте кристаллизации. К основным преимуществам относятся т

Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллиза

Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин. Метод ГНК позволяет выращивать монокристаллы лейкосапфира рекордных размеров, недостижим

Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)

Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет

Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског

Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращив

Внимание!
Информация по Установка для определения резонансного потенциала методом Франка и Герца ФПК 02м предоставлена компанией-поставщиком Учебная техника, ЗАО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».

Контакты компании

Учебная техника, ЗАО

Страна

Россия

Регион

Московская область

Город

Москва

Адрес

Москва, ул. Брянская, д. 7, оф. 308

Телефон

+7 (495) 7249309

Открыть

Сделать запрос

Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос

					 Даю согласие на обработку наших   данных в соответствии с "Политикой конфиденциальности"				Подтвердите согласие