Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллиза
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин. Метод ГНК позволяет выращивать монокристаллы лейкосапфира рекордных размеров, недостижимых при использовании других ростовых методов.
Метод горизонтально направленной кристаллизации ГНК (метод Багдасарова) был разработан в Институте кристаллографии им. А. В. Шубникова АН СССР.
В методе ГНК сочетаются элементы направленной кристаллизации и зонной плавки. Если при обычном выращивании расплавляется всё сырьё, то при ГНК между затравочным кристаллом и сырьём создается локальная расплавленная зона. Кристалл растет за счёт медленного перемещения расплавленной зоны вдоль контейнера с сырьём, имеющего форму лодочки.
Особенностью метода ГНК является также возможность проведения многократной перекристаллизации материала, что способствует очистке сырья и позволяет повысить качество кристалла. Открытая поверхность расплава позволяет вводить легирующие добавки на любом этапе выращивания кристалла.
Установки оснащаются современной системой управления, которая осуществляет: измерение действующих значений тока, напряжения и мощности нагревателя; контроль давления в рабочей камере и в форвакуумной линии; управление перемещением штока и камеры; измерение температуры и расхода охлаждающей воды для в каждом контуре; сигнализацию опасных ситуаций и многое другое.
В ООО «НПО «ГКМП» можно заказать установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира и других материалов методом ГНК.
"Установка "Редмет 90М" для выращивания монокристаллов крмения диаметром 300 мм и длинной до 3000 мм методом Чохральского"
"ОАО «Гиредмет» имеет почти пятидесятилетний опыт создания промышленных установок для выращивания монокристаллов кремния. За это время на промышленных предприятиях было внедрено более 1000 единиц назв"Установка выращивания монокристаллов лейкосапфира ""Сапфир-210"""
"Установка ""Сапфир-210"" с камерой диаметром 650 мм и аппарат кристаллизационный ""Сапфир -КР"" с камерой диаметром 900 мм предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом БагдасаровАвтоматизированная установка для выращивания монокристаллов сапфира способом Киропулоса (Шерна)
Установка предназначена для автоматизированного промышленного выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов методом Киропулоса.Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являетУстановка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращивИнформация по Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллиза предоставлена компанией-поставщиком ООО "НПО "ГКМП". Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».