Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллиза
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин. Метод ГНК позволяет выращивать монокристаллы лейкосапфира рекордных размеров, недостижимых при использовании других ростовых методов.
Метод горизонтально направленной кристаллизации ГНК (метод Багдасарова) был разработан в Институте кристаллографии им. А. В. Шубникова АН СССР.
В методе ГНК сочетаются элементы направленной кристаллизации и зонной плавки. Если при обычном выращивании расплавляется всё сырьё, то при ГНК между затравочным кристаллом и сырьём создается локальная расплавленная зона. Кристалл растет за счёт медленного перемещения расплавленной зоны вдоль контейнера с сырьём, имеющего форму лодочки.
Особенностью метода ГНК является также возможность проведения многократной перекристаллизации материала, что способствует очистке сырья и позволяет повысить качество кристалла. Открытая поверхность расплава позволяет вводить легирующие добавки на любом этапе выращивания кристалла.
Установки оснащаются современной системой управления, которая осуществляет: измерение действующих значений тока, напряжения и мощности нагревателя; контроль давления в рабочей камере и в форвакуумной линии; управление перемещением штока и камеры; измерение температуры и расхода охлаждающей воды для в каждом контуре; сигнализацию опасных ситуаций и многое другое.
В ООО «НПО «ГКМП» можно заказать установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира и других материалов методом ГНК.
"Установка выращивания монокристаллов лейкосапфира ""Сапфир-210"""
"Установка ""Сапфир-210"" с камерой диаметром 650 мм и аппарат кристаллизационный ""Сапфир -КР"" с камерой диаметром 900 мм предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом БагдасаровУстановки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма кУстановки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. ОборудУстановки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являетУстановка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла. Для выращивИнформация по Установки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллиза предоставлена компанией-поставщиком ООО "НПО "ГКМП". Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».