Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског
Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания методом Чохральского монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) с последующим отжигом выращенного кристалла.
Для выращиваниямонокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) широко применяется метод Чохральского. Выращивание происходит в среде водорода. Для этого в установках предусмотрены генератор водорода и фильтр для водорода на основе палладиевой мембраны с максимальным протоком до 100 л/час.
В камере сделаны отдельные вводы для инертного газа (снизу) и водорода (сверху).На каждую линию устанавливаются регуляторы расхода газа с расходом: 1-100 л/час.
Для освещения камеры изнутри, установлены светодиодные лампочки (сверху и снизу).Предусмотрен ввод для термопары и окно для инфракрасного пирометра по центру нагревателя.
Газовая система предусматривает автоматический сброс (стравливание) газа из камеры в вентиляционную систему, при росте давления выше рабочего (1,0 кгс/см2). Также в камере предусмотрена разрывная мембрана, на случай резкого повышения давления в камере.
Диаметр растущего монокристалла определяется по телекамере. Для контроля массы растущего кристалла установлен датчик веса.
В установке предусмотрена герметичная система отвода газов из камеры перед каждым ее открытием.
Оборудование изготавливается под заказ, по согласованному ТЗ. Любые параметры могут быть изменены по Вашим требованиям.
Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов сапфира способом Киропулоса (Шерна)
Установка предназначена для автоматизированного промышленного выращивания высокотемпературных оксидных монокристаллов методом Киропулоса.Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов способом Чохральского (Ника-3)
"Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способом Чохральского, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниУстановки для выращивания кристалла кремния методом Чохральского CZ
Предназначены для выращивания монокристаллов кремния из расплава. Могут применяться для выращивания монокристаллов кремния «солнечного» и полупроводникового качества, диаметром от 75 до 300 мм. ОборудУстановки для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтально направленной кристаллиза
Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира любой кристаллографической ориентации в виде пластин. Метод ГНК позволяет выращивать монокристаллы лейкосапфира рекордных размеров, недостижимУстановки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)
Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являетИнформация по Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия (InSb) и галлия (GaSb) методом Чохральског предоставлена компанией-поставщиком ООО "НПО "ГКМП". Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».