"Установка выращивания монокристаллов сапфира ""Дельфа-1"""

"Установка выращивания монокристаллов кремния ""Изотерм-65ПС"""

Предназначена для выращивания методом Чохральского бездислокационных монокристаллов кремния полупроводниковой чистоты диаметром до 250 мм. Устройство для вращения и передвижения растущего монокристалл

Автоматизированная установка для выращивания профилированных монокристаллов сапфира

Установка НИКА-ПРОФИЛЬ предназначена для промышленного производства монокристаллов профилированного сапфира. Установка создана на базе современной механики и электроники, распределенных систем сбора и

"Установка выращивания монокристаллов ""Сапфир-2006"""

Предназначена для автоматизированного выращивания монокристаллов высокотемпературных материалов методом Амосова.

Установки для выращивания монокристаллов сапфира и рубина методом Бриджмена-Стокбаргера

Предназначены для выращивания монокристаллов лейкосапфира и рубина по любой кристаллографической ориентации, том числе по С-ориентации (0001). Выращивание кристалла проводят в тигле, размеры и форма к

Установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs)

Предназначены для выращивания монокристаллов арсенида галлия (GaAs) и арсенида индия (InAs). Выращивание производится по методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC). Метод LEC являет