Транзисторы IGBT 1MB03D-120
Транзисторы IGBT - 1MB03D-120 /FUJI Electric Co Ltd Имя 1MB03D-120 Производитель FUJI Electric Co Ltd Корпус TO-3P Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 1200 В VCE(on): 3.5 В VGE: 20 В IC: 5 А PD: 70 Вт td(on): 1200 нс td(off): 1500 нс Cies: 1300 пФ TJmax: 150 °С
Вас также могут заинтересовать
Транзисторы IGBT GT50J101
Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(on): 3350 нс TJmax: 150 °СТранзистор IGBT IRG4BC30F
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220 Характеристики: 600 В, -31 А Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3НапряжениеТранзистор IGBT h30r1602
КодПроизводительТипНаличиеКорпус8-46-16TO247 Характеристики: 30A 1600V Ток: 30 A | Напряжение: 1600 |Транзистор IGBT IRGP4063D
КодПроизводительТипНаличиеКорпус6-49-33TO247 Характеристики: IGBT 600В 48А - Ток: 48 A | Напряжение: 600 |Описание: Технические параметры Структура n-каналМаксимальное напряжение кэ ,В 600МаксимТранзистор IGBT Разъём Rj P63F3A
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-60-17TO220F Характеристики: N-Channel IGBT 40A 630V без диода Ток: 40 A | Напряжение: 630 |
Внимание!
Информация по Транзисторы IGBT 1MB03D-120 предоставлена компанией-поставщиком Таймчипс, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзисторы IGBT 1MB03D-120 предоставлена компанией-поставщиком Таймчипс, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Ленинградская область
Город
Санкт-Петербург
Адрес
Санкт-Петербург, пр. Луначарского, д. 7, корп. 1
Телефон
+7 (812) 3094411
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие