Транзисторы IGBT 1MB03D-120
Транзисторы IGBT - 1MB03D-120 /FUJI Electric Co Ltd Имя 1MB03D-120 Производитель FUJI Electric Co Ltd Корпус TO-3P Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 1200 В VCE(on): 3.5 В VGE: 20 В IC: 5 А PD: 70 Вт td(on): 1200 нс td(off): 1500 нс Cies: 1300 пФ TJmax: 150 °С
Вас также могут заинтересовать
Транзисторы IGBT GT50J101
Имя GT50J101 Производитель Toshiba Corporation Корпус TO-264 Класс Транзисторы IGBT Характеристики Полярность: N VCES: 600 В VCE(on): 4 В IC: 50 А td(on): 3350 нс TJmax: 150 °СТранзистор IGBT IRG4BC30F
КодПроизводительТипНаличиеКорпус1-01/3N2TO-220 Характеристики: 600 В, -31 А Ток: 31 A | Напряжение: 600 |Описание: Производитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-220-3НапряжениеТранзистор IGBT GS30B60K
КодПроизводительТипНаличиеКорпус7-51-16D2PAK Характеристики: IGBT- Uкэ=600В- Iк=50А Ток: 50 A | Напряжение: 600 |Транзистор IGBT GT30J122
КодПроизводительТипНаличиеКорпус5-47-12TO3P(N) Характеристики: Silicon N-Channel IGBT Ток: 30 A | Напряжение: 600 |Транзистор IGBT IRGP50B60PD1PBF
КодПроизводительТипНаличиеКорпусКор1IRN12TO-247 Характеристики: 600 В, 75 А, -30-150 kHz Описание: Основные характеристикиПроизводитель: -International Rectifier CorporationКорпус TO-247-3Напр
Внимание!
Информация по Транзисторы IGBT 1MB03D-120 предоставлена компанией-поставщиком Таймчипс, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Информация по Транзисторы IGBT 1MB03D-120 предоставлена компанией-поставщиком Таймчипс, ООО. Для того, чтобы получить дополнительную информацию, узнать актуальную цену или условия постаки, нажмите ссылку «Отправить сообщение».
Контакты компании
Страна
Россия
Регион
Ленинградская область
Город
Санкт-Петербург
Адрес
Санкт-Петербург, пр. Луначарского, д. 7, корп. 1
Телефон
+7 (812) 3094411
Сделать запрос
Введите свое имя
Укажите свой Email
Напишите ваш вопрос
Подтвердите согласие